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High-K metal-insulator-metal capacitor and method of manufacturing the same

机译：高k金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法

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A metal-insulator-metal (MIM) capacitor, includes a cross-sectional view: a first metal plate; a second metal plate; a third metal plate; and a layer of high-k material contacting the first metal plate, the second metal plate, and the third metal plate.

机译：金属-绝缘体-金属（MIM）电容器包括横截面图：第一金属板;和第二金属板。第二金属板;第三金属板;高k材料层与第一金属板，第二金属板和第三金属板接触。

著录项

公开/公告号US10141395B2

专利类型
公开/公告日2018-11-27

原文格式PDF
申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;
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申请/专利号US201715832898
发明设计人 CHIH-CHAO YANG;
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申请日2017-12-06
分类号H01L29/00;H01L21/8236;H01L21/8242;H01L21/20;H01L49/02;H01L21/768;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:08:51

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