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SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODE AND ARRAY OF SINGLE PHOTON AVALANCHE DIODES

机译:单光子雪崩二极管和单光子雪崩二极管阵列

摘要

A single photon avalanche diode, SPAD, comprises an active area (10) which is arranged to generate a photon triggered avalanche current. A cover (12) is arranged on or above the active area (10). The cover (12) shields the active area (10) from incident photons. The cover (12) comprises a stack of at least the first and a second metal layer (13, 14). At least one of the metal layers (13, 14), e.g. the first metal layer (13), comprises an aperture (15). The metal layers (13, 14) are arranged in the stack with respect to an optical axis (OA) such as to open an effective aperture (18) along the optical axis (OA). By way of the effective aperture (18) a portion (19) of the active area (10) is exposed to incident photons being incident along the optical axis (OA). The effective aperture (18) is smaller than the aperture (15) arranged in the first metal layer (13).
机译:单光子雪崩二极管SPAD包括有源区(10),该有源区布置成产生光子触发的雪崩电流。盖子(12)布置在活动区域​​(10)上或上方。盖(12)将有效区域(10)与入射光子隔离。盖(12)包括至少第一和第二金属层(13、14)的堆叠。金属层(13、14)中的至少一层,例如金属层。第一金属层(13)包括孔(15)。金属层(13、14)相对于光轴(OA)布置在堆叠中,以便沿光轴(OA)打开有效孔径(18)。通过有效孔口(18),有源区域(10)的一部分(19)暴露于沿光轴(OA)入射的入射光子。有效孔径(18)小于布置在第一金属层(13)中的孔径(15)。

著录项

  • 公开/公告号WO2019030009A1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-02-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AMS AG;

    申请/专利号WO2018EP70328

  • 发明设计人 RÖHRER GEORG;

    申请日2018-07-26

  • 分类号H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/107;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 11:56:46

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