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SYSTEM FOR MEASURING FLATNESS OF A WAFER AND METHOD FOR MEASURING FLATNESS USING THE SAME

机译:晶片平整度测量系统和使用平整度测量平整度的方法

摘要

A flatness measuring unit for measuring a flatness parameter value of the standard wafer using the first light and a flatness measuring unit for measuring a flatness value measured by the flatness measuring unit, And a control unit for controlling the intensity of the first light so that the calculated difference is within a predetermined error range, and the reference value is a known flatness parameter value of the standard wafer to be.
机译:平坦度测量单元,用于使用第一光测量标准晶片的平坦度参数值;平坦度测量单元,用于测量由平坦度测量单元测量的平坦度值;以及控制单元,用于控制第一光的强度,使得计算出的差在预定误差范围内,并且参考值是将要成为标准晶片的已知平坦度参数值。

著录项

  • 公开/公告号KR101933008B1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-12-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 에스케이실트론 주식회사;

    申请/专利号KR20160100506

  • 发明设计人 박용훈;

    申请日2016-08-08

  • 分类号H01L21/66;G01B11/30;H01L21/268;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:51:55

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