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strong-ARM A Full-wave Rectifier Power Strong-ARM Amplifier

机译:Strong-ARM全波整流器功率Strong-ARM放大器

摘要

A block of a sensing detection voltage generation strong-ARM latch amplification circuit comprises: a sensing detection voltage generation strong-ARM amplification unit (700); a CLK generation unit (701); a sensor unit (702); and a surge current protection unit (712). An S_OUT signal input transistor (706) is a transistor device for inputting an S_OUT signal of the sensor unit (702). An S_REF signal input sensing detection voltage generation transistor (707) is a transistor device for inputting an S_REF signal of the sensor unit (702). The S_REF signal input sensing detection voltage generation transistor (707) connects a plurality of transistors in series or in parallel in order to generate a sensing detection voltage characteristic of a predetermined value, which is different from the S_OUT signal input transistor (706), thereby having different current driving capability from the S_OUT signal input transistor (706).
机译:感测检测电压产生强ARM锁存放大电路的块包括:感测检测电压产生强ARM放大单元(700); CLK产生单元(701);传感器单元(702);浪涌电流保护单元(712)。 S_OUT信号输入晶体管(706)是用于输入传感器单元(702)的S_OUT信号的晶体管器件。 S_REF信号输入感测检测电压生成晶体管(707)是用于输入传感器单元(702)的S_REF信号的晶体管器件。 S_REF信号输入感测检测电压生成晶体管(707)串联或并联连接多个晶体管,以生成与S_OUT信号输入晶体管(706)不同的预定值的感测检测电压特性。具有与S_OUT信号输入晶体管(706)不同的电流驱动能力。

著录项

  • 公开/公告号KR20190091940A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-08-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KANG HEE BOK;

    申请/专利号KR20180011111

  • 发明设计人 KANG HEE BOK;

    申请日2018-01-30

  • 分类号H03F1/02;H03F1/30;H03F1/52;H03F3/45;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:50:10

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