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strong-ARM A Full-wave Rectifier Power Strong-ARM Amplifier

机译:Strong-ARM全波整流器功率Strong-ARM放大器

摘要

Block configuration of Sensing Detection Voltage generation strong-ARM Latch amplification circuit is composed of Sensing Detection Voltage generation strong-ARM amplification unit 700, CLK generator 701, Sensor unit 702 and Surge Current Protection unit 712 . The S_OUT signal input transistor 706 is a transistor device for inputting the S_OUT signal of the sensor unit 702. S_REF Signal Input Sensing Detection Voltage Generation The transistor 707 is a transistor device for inputting the S_REF signal from the sensor unit 702. The S_REF signal input sensing detection voltage generation transistor 707 may be configured by connecting a plurality of transistors in series or in parallel to generate a sensing detection voltage characteristic different from the S_OUT signal input transistor 706. The current driving capability may be different from the S_OUT signal input transistor 706.
机译:感测电压产生强ARM锁存放大电路的块结构由感测电压产生强ARM放大单元700,CLK产生器701,传感器单元702和浪涌电流保护单元712组成。 S_OUT信号输入晶体管706是用于输入传感器单元702的S_OUT信号的晶体管器件。S_REF信号输入感测检测电压生成晶体管707是用于从传感器单元702输入S_REF信号的晶体管器件。感测检测电压产生晶体管707可以通过串联或并联连接多个晶体管来配置以产生与S_OUT信号输入晶体管706不同的感测检测电压特性。电流驱动能力可以与S_OUT信号输入晶体管706不同。 。

著录项

  • 公开/公告号KR102016841B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-08-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 강희복;

    申请/专利号KR20180011111

  • 发明设计人 강희복;

    申请日2018-01-30

  • 分类号H03F1/02;H03F1/30;H03F1/52;H03F3/45;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:47:53

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