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METHOD FOR ACCESSING A FLASH TYPE NON-VOLATILE MEMORY ZONE OF A SECURE ELEMENT, SUCH AS A CHIP CARD

机译:用于访问安全元素的闪存式非易失性存储区(例如芯片卡)的方法

摘要

The invention relates to a method for accessing a non-volatile memory zone (3) of the flash type of a secure element (1), such as a smart card, at least one program being stored in said non-volatile memory, the method comprising: - a first access mode to a non-volatile memory zone according to which it implements a memory management mechanism; a second mode of access to a non-volatile memory zone according to which said memory management mechanism is not used; - Method in which one of the first or second access mode is selected during the execution of the program, when at least one data is manipulated.
机译:本发明涉及一种用于访问诸如智能卡之类的安全元件(1)的闪存类型的非易失性存储区(3)的方法,该至少一个程序被存储在所述非易失性存储器中,该方法包括:-对非易失性存储区的第一访问模式,根据该第一访问模式其实现存储器管理机制;访问非易失性存储区的第二种模式,根据该第二种模式不使用所述存储器管理机制; -当至少一个数据被操纵时,在程序执行期间选择第一或第二访问模式之一的方法。

著录项

  • 公开/公告号FR3074317A1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-05-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IDEMIA IDENTITY & SECURITY FRANCE;

    申请/专利号FR20170061223

  • 发明设计人 FADI OSMAN;MARC BRUGNON;HOUSSEM MAGHREBI;

    申请日2017-11-27

  • 分类号G06F12/0877;G06F12/0875;G06F12/16;G06F21/52;G06F21/77;G06F21/78;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 11:43:48

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