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PLASMA IRRADIATION DEVICE AND PLASMA IRRADIATION METHOD

机译:等离子体辐照装置及等离子体辐照方法

摘要

A plasma emitting device capable of controlling plasma applied to an application target body to a constant level. The plasma emitting device includes at least one of: a plasma emitting device configured to eject plasma; a container arranged such that at least a plasma emission port of the plasma emitting device is inside the container; and a gas sensor configured to measure an atmosphere inside the container.
机译:一种等离子体发射装置,其能够将施加到施加目标体的等离子体控制在恒定水平。等离子体发射装置包括以下至少之一:被配置为喷射等离子体的等离子体发射装置;以及用于产生等离子体的等离子体发射装置。布置成使得等离子体发射装置的至少等离子体发射端口在容器内部的容器;气体传感器被配置为测量容器内部的气氛。

著录项

  • 公开/公告号EP3503692A4

    专利类型

  • 公开/公告日2020-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUJI CORPORATION;

    申请/专利号EP20160914143

  • 发明设计人 HIGASHIDA AKIHIRO;JINDO TAKAHIRO;

    申请日2016-08-22

  • 分类号H05H1/26;A61N1/44;H05H1/24;H01J37/32;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 11:41:02

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