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High-side transistor drive circuit, DC / DC converter control circuit using it, DC / DC converter

机译:高端晶体管驱动电路,使用它的DC / DC转换器控制电路,DC / DC转换器

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a drive circuit capable of preventing a malfunction of a high-side transistor. A UVLO circuit 440, the difference ΔV of the voltage V S of the bootstrap voltage V B and the switching line, is lower than the threshold value V UVLO, asserts an anomaly detection (UVLO) signal. The latch circuit 414A includes a first transistor M21 to a fifth transistor M25. The fifth transistor M25 is connected in parallel with the first transistor M21 and is turned on when the UVLO signal is asserted. [Selection diagram] Fig. 4
机译:要解决的问题:提供一种能够防止高侧晶体管故障的驱动电路。自举电压 VB 的电压 VS 与开关线之差ΔV的UVLO电路440小于阈值 V UVLO,断言异常检测(UVLO)信号。锁存电路414A包括第一晶体管M21至第五晶体管M25。第五晶体管M25与第一晶体管M21并联连接,并且当UVLO信号被断言时导通。 [选择图]图4

著录项

  • 公开/公告号JP2020162249A

    专利类型

  • 公开/公告日2020-10-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ローム株式会社;

    申请/专利号JP20190058079

  • 发明设计人 篠崎 智文;

    申请日2019-03-26

  • 分类号H02M1/08;H02M3/155;H02M3/28;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 11:36:13

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