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Method for producing tantalum nitride (Ta3N5)

机译：氮化钽（Ta3N5）的制造方法

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an industrial production method for TaNof a single phase with a low oxygen content.SOLUTION: A method for producing tantalum nitride (TaN) includes nitriding of tantalum oxide (TaO) at 800-950°C in an ammonia gas atmosphere with an ammonia gas flow rate of 0.05-0.8 L/min per 1g of TaO.SELECTED DRAWING: None

机译：解决的问题：提供一种工业生产低氧含量单相TaN的方法。解决方案：一种生产氮化钽（TaN）的方法包括在800-950°C的氨中氮化氧化钽（TaO）。气体气氛中，每1克TaO的氨气流速为0.05-0.8升/分钟。

著录项

公开/公告号JP6745164B2

专利类型
公开/公告日2020-08-26

原文格式PDF
申请/专利权人太平洋セメント株式会社;
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申请/专利号JP20160156366
发明设计人岸森智佳;常世田和彦;
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申请日2016-08-09
分类号B01J27/24;C01B21/06;B01J35/02;B01J37/08;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 11:34:29

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