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CHALCOPYRITE-PEROVSKITE PN-JUNCTION THIN-FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

机译:黄铜矿-钙钛矿PN结薄膜光电器件

摘要

A thin-film photovoltaic device includes: a substrate for supporting the thin-film photovoltaic device; a back contact layer disposed on the substrate; a p-type solar absorber layer disposed on the back contact layer, the p-type solar absorber layer including one of a Group IB-IIIA-VIA.sub.2 material and a IIB-VIA material; an n-type solar absorber layer disposed on and in contact with the p-type solar absorber layer, the n-type solar absorber layer including one of a Group IA-IVA-VIIA.sub.3 material, a Group IA.sub.2.-IVA-VIIA.sub.6, and a Group I.sub.2.-I-IIIA-VIIA.sub.6 material; and a semi-transparent top contact layer disposed on the n-type solar absorber layer.
机译:一种薄膜光伏器件,包括:用于支撑薄膜光伏器件的基板;以及用于支撑薄膜光伏器件的基板。背接触层设置在基板上;在背面接触层上设置的p型太阳能吸收层,该p型太阳能吸收层包括IB-IIIA-VIA.2族材料和IIB-VIA材料中的一种;设置在p型太阳能吸收层上并与之接触的n型太阳能吸收层,该n型太阳能吸收层包括IA-IVA-VIIA.3族材料,IA.IV。族之一。 2.-IVA-VIIA.sub.6和I.sub.2.-I-IIIA-VIIA.sub.6组材料;设置在n型太阳能吸收层上的半透明顶部接触层。

著录项

  • 公开/公告号US2020082995A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-03-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASCENT SOLAR TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号US201916562895

  • 发明设计人 LAWRENCE M. WOODS;

    申请日2019-09-06

  • 分类号H01G9/20;H01G9;H01L51/42;H01L51/44;H01L51;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:24:46

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