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CREATING 3D FEATURES THROUGH SELECTIVE LASER ANNEALING AND/OR LASER ABLATION

机译:通过选择性激光退火和/或激光烧蚀创建3D功能

摘要

A semiconductor device includes a solder supporting material above a substrate. The semiconductor device also includes a solder on the solder supporting material. The semiconductor device further includes selective laser annealed or laser ablated portions of the solder and underlying solder supporting material to form a semiconductor device having 3D features.
机译:半导体器件包括在衬底上方的焊料支撑材料。半导体器件还包括在焊料支撑材料上的焊料。半导体器件还包括焊料和下面的焊料支撑材料的选择性激光退火或激光烧蚀部分,以形成具有3D特征的半导体器件。

著录项

  • 公开/公告号US2020211995A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED;

    申请/专利号US201916729018

  • 发明设计人 SIMON JOSHUA JACOBS;

    申请日2019-12-27

  • 分类号H01L23;H01L25;H01L25/065;B23K1/005;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:21:37

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