首页> 外国专利> SYSTEM FOR DESIGNING INTEGRATED CIRCUIT USING EXTRACTED MODEL PARAMETER AND METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME

SYSTEM FOR DESIGNING INTEGRATED CIRCUIT USING EXTRACTED MODEL PARAMETER AND METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT USING THE SAME

机译:使用提取的模型参数设计集成电路的系统和使用该模型制造集成电路的方法

摘要

A method of manufacturing an integrated circuit in which a semiconductor device is provided includes simulating electrical characteristics of the semiconductor device according to a received process variable, by using a model parameter file including a plurality of model parameters, generating semiconductor device layout data based on a result of the simulation, and manufacturing the integrated circuit according to a semiconductor device layout based on the semiconductor device layout data, wherein the plurality of model parameters are stored in the model parameter file in a form of at least one function regarding the process variable.
机译:一种制造其中提供有半导体器件的集成电路的方法,该方法包括:通过使用包括多个模型参数的模型参数文件,根据接收到的工艺变量来模拟半导体器件的电特性,基于半导体器件生成半导体器件布局数据。结果,并且基于半导体器件布局数据根据半导体器件布局制造集成电路,其中,多个模型参数以关于过程变量的至少一个函数的形式存储在模型参数文件中。

著录项

  • 公开/公告号US2020004911A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-01-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号US201916439115

  • 发明设计人 YO-HAN KIM;

    申请日2019-06-12

  • 分类号G06F17/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:20:37

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号