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MASK REPAIR APPARATUS AND METHOD FOR REPAIRING MASK

机译:面膜修复装置和面膜修复方法

摘要

[Problem] To provide a mask correction device capable of efficiently correcting defects in a target EUVL mask. [Solution means] The mask correction apparatus includes: Extreme Ultra Violet Lithography (EUVL) having a reflective layer, a first layer disposed over the reflective layer, a second layer disposed over the first layer, and a third layer disposed over the second layer An EUVL mask correcting apparatus for correcting defects in a target EUVL mask as a mask, wherein after etching a third layer by a first etching method and etching a third layer by a first etching method, a first etching method and The second layer is etched by another second etching method.
机译:[问题]提供一种能够有效地校正目标EUVL掩模中的缺陷的掩模校正装置。 [解决方案]掩模校正设备包括:极紫外光刻法(EUVL),其具有反射层,设置在反射层上方的第一层,设置在第一层上方的第二层以及设置在第二层上方的第三层。 EUVL掩模校正装置,用于校正作为掩模的目标EUVL掩模中的缺陷,其中,在通过第一蚀刻方法蚀刻第三层并且通过第一蚀刻方法蚀刻第三层之后,通过第一蚀刻方法蚀刻第二层,并且通过另一蚀刻来蚀刻第二层。第二蚀刻方法。

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