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MULTI-RANK SDRAM CONTROL METHOD AND SDRAM CONTROLLER

机译:多排SDRAM控制方法和SDRAM控制器

摘要

Multi-rank SDRAM control method for controlling a multi-rank SDRAM, which is formed by connecting data ports of a plurality of SDRAM devices (100), wherein in each of the plurality of SDRAM devices (100) only one data mask signal of the SDRAM device ( 100) a rank to be accessed is negated, thereby performing access to the rank, and wherein at least two of the SDRAM devices (100) are in different ranks.
机译:用于控制多列SDRAM的多列SDRAM控制方法,该方法通过连接多个SDRAM装置(100)的数据端口而形成,其中,在多个SDRAM装置(100)的每一个中,仅SDRAM装置的一个数据屏蔽信号。否定要访问的SDRAM设备(100)的等级,从而执行对该等级的访问,并且其中至少两个SDRAM设备(100)处于不同的等级。

著录项

  • 公开/公告号DE102018204341B4

    专利类型

  • 公开/公告日2020-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FANUC CORPORATION;

    申请/专利号DE201810204341

  • 发明设计人 TAKAAKI KOMATSU;

    申请日2018-03-21

  • 分类号G06F12/06;G06F13/36;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 11:01:45

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