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公开/公告号US10657999B2
专利类型
公开/公告日2020.05.19
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号US15319149
发明设计人 Kouji Abe;Toshiyuki Watanabe;Masafumi Tanaka;Kohei Okudaira;Hiroyasu Sekino;Yuuji Honda;
申请日2014.06.20
分类号
国家 US
入库时间 2022-08-21 10:59:11
机译: 等离子体cvd器件的制造方法和磁记录介质的成膜方法
机译: 磁记录介质,磁记录介质的生产以及等离子CVD膜的形成方法
机译: 等离子体化学汽相淀积装置和制造磁记录介质的方法