HALF-LIGHT PREPARATION WITH A SILIZIUM CARBID HALF-LIGHTER AND PROCEDURE

摘要

Die Offenbarung betrifft eine Halbleitervorrichtung (100), die einen SiC Halbleiterkörper (102) aufweist. Der SiC Halbleiterkörper (102) weist ein erstes Halbleitergebiet (104) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und ein zweites Halbleitergebiet (106) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Das erste Halbleitergebiet (104) ist an einer ersten Oberfläche (108) des SiC Halbleiterkörpers (102) elektrisch kontaktiert und bildet einen pn-Übergang (110) mit dem zweiten Halbleitergebiet (106). Das erste Halbleitergebiet (104) und das zweite Halbleitergebiet (106) sind in einer vertikalen Richtung (y) senkrecht zur ersten Oberfläche (108) übereinander angeordnet. Das erste Halbleitergebiet (104) weist eine erste Dotierstoffspezies und eine zweite Dotierstoffspezies auf, wobei die erste Dotierstoffspezies B entspricht und die zweite Dotierstoffspezies Al oder Ga entspricht.Eine mittlere Dotierstoffkonzentration der ersten Dotierstoffspezies () ist in einem an die erste Oberfläche (108) des SiC Halbleiterkörpers (102) angrenzenden ersten Teil (118) des ersten Halbleitergebiets (104) größer ist als eine mittlere Dotierstoffkonzentration der zweiten Dotierstoffspezies (). Eine mittlere Dotierstoffkonzentration der zweiten Dotierstoffspezies () ist in einem an das zweite Halbleitergebiet (106) angrenzenden zweiten Teil (119) des ersten Halbleitergebiets (104) größer als eine Dotierstoffkonzentration der ersten Dotierstoffspezies (), wobei die mittlere Dotierstoffkonzentrationen () entlang einer vertikalen Erstreckung des ersten und zweiten Teils (118, 119) bestimmt sind.