PROCEDURES FOR THE MANUFACTURE OF HALF-LEADER AND HALF-LEADER BUILDINGS

摘要

Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung wird eine dielektrische Gateschicht über einem Kanalbereich hergestellt, der aus einem Halbleitermaterial hergestellt wird; auf der dielektrischen Gateschicht wird eine erste Sperrschicht hergestellt; auf der ersten Sperrschicht wird eine zweite Sperrschicht hergestellt; auf der zweiten Sperrschicht wird eine erste Austrittsarbeits-Einstellschicht hergestellt; und die erste Austrittsarbeits-Einstellschicht und die zweite Sperrschicht werden entfernt. Nachdem die erste Austrittsarbeits-Einstellschicht und die zweite Sperrschicht entfernt worden sind, wird eine zweite Austrittsarbeits-Einstellschicht über der dielektrischen Gateschicht hergestellt, und eine Metall-Gate-Elektrodenschicht wird über der zweiten Austrittsarbeits-Einstellschicht hergestellt.