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TOTAL-ECTRONIC HALF-LEADER BUILDING WITH A STRUCTURE DISTRIBUTION SCHEME AND PROCEDURE FOR THE MANUFACTURING OF THE TOTAL-ECTRONIC HALLEITER BUILDING
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Ein optoelektronisches Halbleiter-Bauelement (10, 30) weist eine erste Halbleiterschicht (101, 102) von einem p-Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (111, 112, 115) von einem n-Leitfähigkeitstyp sowie eine n-dotierte Stromverteilungsschicht (122), die ZnSe enthält und an die zweite Halbleiterschicht (111, 112, 115) angrenzt, auf.
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