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BUFFER PROTECTION TAPE (BDB) OUTSIDE THE SEAL, TO IMPROVE THE PREVENTION OF CRACKING IN INTEGRATED CIRCUITS

摘要

Auf einem Wafer werden mehrere Haupt-Chips hergestellt. In vertikalen Ritzlinien, die die Haupt-Chips voneinander trennen, werden mehrere Rahmenstrukturen hergestellt. In horizontalen Ritzlinien, die die Haupt-Chips voneinander trennen, werden mehrere Prüfstrukturen hergestellt. Ein Dichtungsring wird jeden der Haupt-Chips umgebend hergestellt. Ein Pufferschutzband wird an der Außenseite jedes Dichtungsrings geschaffen, das vom Dichtungsring zu allen Grenzen jedes der Haupt-Chips verläuft. Die Haupt-Chips werden an den vertikalen Ritzlinien und an den horizontalen Ritzlinien geschnitten, wobei das Pufferschutzband die Robustheit des Konfektionierungsfensters integrierter Schaltungen erhöht, um zu verhindern, dass sich Risse, Zersplitterung oder Delaminierung, die von horizontalen oder vertikalen Ritzlinien ausgehen, in einen der Haupt-Chips ausbreiten.

著录项

  • 公开/公告号DE102019207521A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020.06.10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 Dialog Semiconductor (UK) Limited;

    申请/专利号DE102019207521

  • 发明设计人 Iva Krasteva;Yi-Yeu Lin;

    申请日2019.05.22

  • 分类号

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 10:52:11

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