HALF-LEADING DIRECTIVE, PROCEDURES FOR AID OF A HALF-LEADING DIRECTIVE AND MANAGEMENT OF AID FOR A HALF-LEADING DIRECTIVE

摘要

Es wird eine Halbleitereinrichtung bereitgestellt, bei dem ein IGBT mit zwei Gate-Anschlüssen durch ein Steuersignal angesteuert wird und ein kontinuierlicher EIN-Zustand und ein EIN-Zustand zweimal für ein Ein-Puls-Signal vermieden werden. Eine Halbleitereinrichtung 1 enthält: einen Steuersignal-Eingangsanschluss 11; einen IGBT 4, der einen ersten Gate-Anschluss 41 und einen zweiten Gate-Anschluss 42 aufweist; eine Verzögerungseinheit 2, die dazu ausgebildet ist, ein Eingangssignal um eine Verzögerungszeit L zu verzögern; und eine logische Produkteinheit 3, die dazu ausgebildet ist, ein logisches Produkt eines ersten Eingangsanschlusses und eines zweiten Eingangsanschlusses zu berechnen. Der Steuersignal-Eingangsanschluss 11 ist mit einem Eingangsanschluss der Verzögerungseinheit 2 und einem zweiten Eingangsanschluss 32 der logischen Produkteinheit 3 verbunden. Ein Ausgangsanschluss der Verzögerungseinheit 2 ist mit dem ersten Gate-Anschluss 41 des IGBTs 4 und einem ersten Eingangsanschluss 31 der logischen Produkteinheit 3 verbunden. Ein Ausgangsanschluss 33 der logischen Produkteinheit 3 ist mit dem zweiten Gate-Anschluss 42 des IGBTs 4 verbunden.