法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-05-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B65H 63/02 授权公告日:20120725 终止日期:20160323 申请日:20100323
专利权的终止
2012-07-25
授权
授权
2010-11-17
实质审查的生效 IPC(主分类):B65H 63/02 申请日:20100323
实质审查的生效
2010-09-29
公开
公开
机译: PIN合金半导体,具有整流结触点的辐射探测器,形成具有整流结触点的PIN合金半导体器件的方法和系统以及用于分析合金半导体特性的系统和方法
机译: 辐射探测器和用于制造用于辐射探测器的金属-碳结的方法
机译: 辐射探测器和用于制造辐射探测器的金属碳结的方法