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在基材上形成穿导孔的方法及具有穿导孔的基材

摘要

本发明关于在基材上形成穿导孔的方法及具有穿导孔的基材。该在基材上形成穿导孔的方法包括:(a)提供一基材,该基材具有一第一表面及一第二表面;(b)形成一开槽于该基板的第一表面,该开槽具有一侧壁及一底面;(c)形成一第一导电金属于该开槽的该侧壁与该底面,而形成一中心槽;(d)形成一中心绝缘材料于该中心槽;(e)形成一环槽于该基材,该环槽围绕该第一导电金属;(f)形成一第一绝缘材料于该环槽内;及(g)去除部分该基材的第二表面,以显露该第一导电金属、该中心绝缘材料及该第一绝缘材料。藉此,可以在穿导孔内形成较厚的绝缘材料,而且该绝缘材料在该穿导孔内并不会有厚度不均匀的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN101887859B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-07-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日月光半导体制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200910141603.2

  • 发明设计人 王盟仁;

    申请日2009-05-15

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陆勍

  • 地址 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-07-25

    授权

    授权

  • 2010-12-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/48 申请日:20090515

    实质审查的生效

  • 2010-11-17

    公开

    公开

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