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SiO2修饰的ZnO纳米多孔薄膜复合电极的制备方法

摘要

本发明属于纳米材料技术领域,涉及一种SiO2修饰的ZnO纳米多孔薄膜复合电极的制备方法。其特征在于:利用ZnO纳米颗粒多孔薄膜作为复合电极基础层;通过选取旋转涂覆氧化硅溶胶保护层来提高氧化锌纳米颗粒多孔薄膜电极在酸性染料中的耐腐蚀性能,用于染料敏化太阳能电池的稳定性。本发明通过对溶胶涂覆层数、烧结次数、浓度的调整可合理控制氧化硅薄膜涂层的厚度,获得耐腐蚀能力强且性能优异的复合电极。本发明可针对不同的敏化条件调整工艺参数来获得在敏化过程中耐酸性强、电极性能最优的SiO2-ZnO纳米颗粒多孔薄膜复合电极。其生产工艺具有效率高、成本低、适合于未来大规模生产等许多优点。

著录项

  • 公开/公告号CN102005303B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN201010575239.3

  • 发明设计人 张跃;秦子;黄运华;廖庆亮;

    申请日2010-12-01

  • 分类号H01G9/04(20060101);H01G9/20(20060101);H01M14/00(20060101);H01L51/48(20060101);

  • 代理机构11296 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘淑芬

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号北科大科技处

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01G 9/04 授权公告日:20120822 终止日期:20151201 申请日:20101201

    专利权的终止

  • 2012-08-22

    授权

    授权

  • 2011-05-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/04 申请日:20101201

    实质审查的生效

  • 2011-04-06

    公开

    公开

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