同一器件上的不同种类的晶体管上的选择性间隔体形成

摘要

一种在第一类晶体管上选择性地形成间隔体的方法以及通过这种方法形成的器件。该方法可以包括：在其上设有不同种类的晶体管的衬底上沉积保形的第一沉积层；向至少一类晶体管沉积阻挡层；对第一沉积层进行干法蚀刻；去除阻挡层；在衬底上沉积保形的第二沉积层；对第二沉积层进行干法蚀刻以及对剩余的第一沉积层进行湿法蚀刻。器件可以包括这样的第一类晶体管，其间隔体比第二类晶体管的间隔体更大。