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偏压发生器及产生用于半导体存储器件的偏压的方法

摘要

本发明提供偏压发生器、具有该偏压发生器的半导体存储器件以及产生偏压的方法。该偏压发生器产生偏压以控制用于读出数据的、提供给存储单元的读出电流,其特征在于响应于正在被施加的输入电压输出偏压,以便该偏压相对于该输入电压的斜率在对应于该输入电压的电平而划分开的至少两个部分中是不同的。

著录项

  • 公开/公告号CN101246734B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-07-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200710303563.8

  • 发明设计人 金惠珍;李光振;赵佑荣;朴茂熙;

    申请日2007-12-28

  • 分类号G11C5/14(20060101);G11C11/56(20060101);G05F1/10(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人邵亚丽

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-07-04

    授权

    授权

  • 2010-01-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-08-20

    公开

    公开

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