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对原位表面磁光克尔效应进行测量的系统及方法

摘要

本发明公开了一种在铁磁性薄膜制备过程中对原位表面磁光克尔效应进行测量的系统,包括分子束外延系统、具有特殊光路的磁场控制系统、表面磁光克尔效应测试系统和铁磁性薄膜样品;具有特殊光路的磁场控制系统与分子束外延系统生长室的衬底观察窗口相对接,表面磁光克尔效应测量系统通过调试,能够使入射激光通过磁场控制系统的特殊光路照射到固定在处于生长位置操作器上的铁磁性薄膜样品表面,铁磁性薄膜样品表面的反射激光能够通过磁场控制系统的特殊光路反馈到信号接收器中。同时公开了一种在铁磁性薄膜制备过程中对原位表面磁光克尔效应进行测量的方法。本发明具有简单方便易操作的优点,可无损伤无影响地实现原位表面磁光克尔效应的测量。

著录项

  • 公开/公告号CN101685146B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-06-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200810223614.0

  • 发明设计人 赵建华;姬扬;郑厚植;杨威;鲁军;

    申请日2008-09-27

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-11-13

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 33/12 授权公告日:20120606 终止日期:20120927 申请日:20080927

    专利权的终止

  • 2012-06-06

    授权

    授权

  • 2010-05-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/12 申请日:20080927

    实质审查的生效

  • 2010-03-31

    公开

    公开

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