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产生欧姆接触及制造设有该种欧姆接触的半导体器件的方法

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摘要

在一种产生半导体器件(1)中的P型α-SiC层(3b)的欧姆接触(5)的方法中，铝层、钛层和硅层被沉积在上述α-SiC层(3b)上，且上述沉积的层(5)被退火以便至少将上述沉积层(5)的一部分转变成铝钛硅化物。

1. 产生欧姆接触及制造设有该种欧姆接触的半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN1088256C . 2002.07.24
2. 用于碳化硅功率半导体器件上的背侧欧姆接触的碳受控欧姆接触层 [P] . 中国专利： CN110797260A . 2020-02-14
3. Method comprising forming device heterostructure including ohmic contact to semiconductor layer and device including device heterostructure including ohmic contact to semiconductor layer [P] . 日本专利： JP6186380B2 . 2017-08-23

机译：方法包括：形成包括与半导体层的欧姆接触的器件异质结构以及包括包括与半导体层的欧姆接触的器件异质结构的器件
4. Semiconductor device with ohmic contact-connection and method for the ohmic contact-connection of a semiconductor device [P] . 美国专利： US6468890B2 . 2002-10-22

机译：具有欧姆接触连接的半导体器件以及用于半导体器件的欧姆接触连接的方法
5. Semiconductor device with ohmic contact-connection and method for the ohmic contact-connection of a semiconductor device [P] . 美国专利： US2001023124A1 . 2001-09-20

机译：具有欧姆接触连接的半导体器件以及用于半导体器件的欧姆接触连接的方法