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具有可变电阻的存储器件、存储电路及半导体集成电路

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摘要

第一可变电阻器(5)，连接在第一端子(7)与第三端子(9)之间，该第一可变电阻器(5)的电阻值根据被施加在第一端子(7)与第三端子(9)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。第二可变电阻器(6)，连接在第三端子(9)与第二端子(8)之间，该第二可变电阻器(6)的电阻值根据被施加在第三端子(9)与第二端子(8)之间的脉冲电压的极性而增加或减少。在第一端子(7)与第三端子(9)之间和第三端子(9)与第二端子(8)之间施加规定脉冲电压，以让第一及第二可变电阻器(5、6)的电阻值可逆地变化，这样来记录一个位或多个位的信息。

著录项

公开/公告号CN1898749B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-01-18

原文格式PDF
申请/专利权人松下电器产业株式会社;
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申请/专利号CN200480038984.7
发明设计人村冈俊作;小佐野浩一;高桥健;下田代雅文;
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申请日2004-10-22
分类号
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人龙淳
地址日本大阪
入库时间 2022-08-23 09:09:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-12-09

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/56 授权公告日:20120118 终止日期:20141022 申请日:20041022

专利权的终止
2012-01-18

授权

授权
2007-03-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-01-17

公开

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