光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器

摘要

本发明提供一种光或放射线检测器的制造方法及光或放射线检测器，在形成半导体时，在模仿基板上通过蒸镀形成了规定厚度的半导体后，从该模仿基板替换成支承基板即石墨基板，并在该石墨基板上通过蒸镀继续形成半导体。在模仿基板上通过蒸镀形成规定厚度的半导体时是初期状态，因此，原本应形成的不良膜则形成于模仿基板。之后，在所替换的石墨基板G上形成非初期状态的半导体，因此，能够实现具备比现有的更高品质的半导体的检测器。另外，这样制造的半导体至少能够沿其厚度方向连续地形成。