公开/公告号CN101397649B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-12-28
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;
申请/专利号CN200810213862.7
申请日2002-01-31
分类号C23C14/12(20060101);C23C14/56(20060101);H01L51/56(20060101);H01L51/00(20060101);H05B33/10(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人卢江;张志醒
地址 日本神奈川县厚木市
入库时间 2022-08-23 09:08:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-12-28
授权
授权
2009-05-27
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-04-01
公开
公开
机译: 制备包括衬底的复合材料的方法,第一化合物气相沉积在衬底上,形成第一层,第二层通过蒸气三嗪化合物层沉积在第一衬底上,其中对第一层进行阶梯式负载力学。
机译: 在衬底上实现纳米物体的有组织网络的方法,包括将包含在膜上的膜孔中的材料沉积在衬底上以在衬底上形成纳米物体的有组织的网络。
机译: 用于接收要沉积在其上的半导体衬底的衬底基座以及在半导体衬底上沉积材料的方法