法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-11-13
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01P 5/10 授权公告日:20111116 终止日期:20120927 申请日:20080927
专利权的终止
2011-11-16
授权
授权
2009-04-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-02-11
公开
公开
机译: 一种制造半导体器件以减小由于临界尺寸不规则变化而导致的有源区减小,减小的有源区引起的基体应力,容易的空隙填充沟槽和避免缺陷的方法
机译: 基于基因治疗性DNA载体VTVAF17的基因治疗性DNA载体,携带选自基因组NOS2,NOS3,VIP,KCNMA1,CGRP的靶基因,以增加这些靶基因的表达水平,生产和使用方法应变大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-NOS2或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-NOS3或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-VIP或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-KCNMA1或大肠埃希氏菌/ VTVAF17-CGRP,携带基因治疗性DNA载体,其生产方法,工业生产基因治疗性DNA载体的方法
机译: 基于基因治疗性DNA载体VTVAF17的基因治疗性DNA载体,携带选自基因组NOS2,NOS3,VIP,KCNMA1,CGRP的靶基因,以增加这些靶基因的表达水平,生产和使用方法应变大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-NOS2或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-NOS3或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-VIP或大肠埃希氏菌SCS110-AF / VTVAF17-KCNMA1或大肠埃希氏菌/ VTVAF17-CGRP,携带基因治疗性DNA载体,其生产方法,工业生产基因治疗性DNA载体的方法