用于阈值宽度控制的多级ONO快闪编程演算法

摘要

提供对多级闪存单元(MLB)的字线进行编程的方法(400)，该存储单元是每一位具有三个或更多个之数据层级对应于三个或更多个之阈值电压(300)。本发明采用交互式编程算法(400)，藉以于两个编程阶段中将存储单元的字线之位编程，以达成高度紧密之Vt分布，其中，前述两个编程阶段包括粗编程阶段(430)及精编程阶段(450)。