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箝位式多电平变换器用的单相电路拓扑结构

摘要

箝位式多电平变换器用的单相电路拓扑结构属于电力电子多电平变换器技术领域,其特征在于直流侧有三个电容,直流侧电压为4Vdc,处于中间的电容实现2Vdc电压,在输入侧用四个二极管箝位,输出侧用一个箝位电容箝位,通过开关组合,使每个开关器件承受1Vdc,可以得到五种电平的输出组合。本发明具有电路结构大大简化、器件耐压水平低,可以做到不含器件的直接串联,没有开通和关断的同步问题。

著录项

  • 公开/公告号CN101262180B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN200810105139.7

  • 发明设计人 李永东;王琛琛;高跃;冯丽超;

    申请日2008-04-25

  • 分类号H02M7/5387(20070101);H02M7/487(20070101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-14

    授权

    授权

  • 2008-10-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-09-10

    公开

    公开

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