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磁增强电容性等离子体源及产生等离子体的方法

摘要

用于iPVD的电容性等离子体源(22)浸没在强的局部磁场(31)中,并可以用于装入即可式替换iPVD的电感耦合等离子体(ICP)源。该源包括环形电极(23),环形电极(23)具有位于其后面的磁体组(30),磁体组(30)包括与电极表面大致平行的表面磁体(33-35),其中,磁场在电极表面上径向延伸。诸如内侧和外侧环形圈磁体(分别是36和32)之类的侧面磁体具有极轴,极轴与电极相交,最靠近电极的磁极与表面磁体的邻近磁极具有相同极性。铁磁背板(37)或背部磁体(37a)使侧面磁体(32、36)的背部磁极互相连接。位于磁体组(30)后面的铁磁防护罩(37b)限制磁场(31)离开iPVD材料源(21)。

著录项

  • 公开/公告号CN101300657B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;

    申请/专利号CN200580001514.8

  • 申请日2005-01-20

  • 分类号

  • 代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王怡

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-16

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 37/32 授权公告日:20110921 终止日期:20170120 申请日:20050120

    专利权的终止

  • 2011-09-21

    授权

    授权

  • 2011-09-21

    授权

    授权

  • 2008-12-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-12-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-11-05

    公开

    公开

  • 2008-11-05

    公开

    公开

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