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相移掩膜缺陷修复方法

摘要

本发明揭露了一种相移掩膜缺陷的修复方法,其于相移掩膜的透光基板上检测到一缺陷时,利用聚焦离子束刻蚀该缺陷所在处的透光基板,包括以下步骤:设定聚焦离子束的临界刻蚀次数;利用聚焦离子束刻蚀上述缺陷所在处的透光基板直至达到上述临界刻蚀次数。可见,本发明利用聚焦离子束刻蚀需要修复的基板区域直至达到此区域的厚度所带来的相位延迟接近或达到无缺陷时的要求并利用临界刻蚀次数来决定上述需刻蚀的深度,从而突破了现有技术的瓶颈,满足了现有技术中无法很好修复的相移掩膜的规格要求。

著录项

  • 公开/公告号CN101566786B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200810036586.1

  • 发明设计人 陈建山;

    申请日2008-04-24

  • 分类号G03F1/00(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅;李时云

  • 地址 201203 上海市张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F1/00 授权公告日:20110907 终止日期:20190424 申请日:20080424

    专利权的终止

  • 2011-09-07

    授权

    授权

  • 2011-09-07

    授权

    授权

  • 2009-12-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-12-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-10-28

    公开

    公开

  • 2009-10-28

    公开

    公开

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