用BaCeO₃掺杂提高YBaCuO超导体性能的方法

摘要

一种用BaCeO₃掺杂提高YBaCuO超导体性能的方法，其特征在于，将平均粒度为1nm～100nm的BaCe_1-xGd_xO₃粉末加入Y_1.8Ba_2.4Cu_3.4O_y粉末中，经球磨混合均匀后，用单轴模压成型，再采用顶部籽晶辅助熔融织构生长工艺(TSMTG)生成单畴结构的YBaCuO超导块，其中，BaCe_1-xGd_xO₃粉末加入量为Y_1.8Ba_2.4Cu_3.4O_y粉末的0.25wt％～1.00wt％。用本发明的方法制备的单畴YBaCuO超导块的临界电流密度均高于未掺杂的单畴YBaCuO超导块。掺杂量为0.50wt％的超导块的临界电流密度达到了掺杂0.2wt％贵金属Pt样品的同等水平。