通过螺旋位错持续生长形成纳米结构层

摘要

本文描述了薄膜层的纳米结构化支承元件的长度伸展工艺。所述工艺涉及第一退火步骤期间纳米结构化支承元件的初始形成。在所述纳米结构化支承元件上沉积材料涂层。在第二退火步骤期间，所述初始形成的纳米结构化支承元件纵向伸展。较长的纳米结构化支承元件提供了更大的支承催化剂材料的表面积，从而允许在所述层上填塞更多的催化剂。具有延伸的纳米结构化支承元件的层尤其可用于电化学装置(诸如燃料电池)，其中催化剂活性与支承所述催化剂的可用表面积相关。