公开/公告号CN101134930B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-04-13
原文格式PDF
申请/专利权人 高级技术材料公司;
申请/专利号CN200710147183.X
申请日2002-03-27
分类号C11D7/32(20060101);C09K13/06(20060101);C23F1/18(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人杨青;樊卫民
地址 美国康涅狄格州
入库时间 2022-08-23 09:06:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C11D7/32 授权公告日:20110413 终止日期:20190327 申请日:20020327
专利权的终止
2017-01-11
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C11D7/32 变更前: 变更后: 申请日:20020327
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2017-01-11
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C11D 7/32 变更前: 变更后: 申请日:20020327
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2015-04-29
专利权的转移 IPC(主分类):C11D7/32 变更前: 变更后: 登记生效日:20150408 申请日:20020327
专利申请权、专利权的转移
2015-04-29
专利权的转移 IPC(主分类):C11D 7/32 变更前: 变更后: 登记生效日:20150408 申请日:20020327
专利申请权、专利权的转移
2011-04-13
授权
授权
2011-04-13
授权
授权
2008-04-30
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-04-30
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-03-05
公开
公开
2008-03-05
公开
公开
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机译: 含有用于清洗半导体衬底上的无机残留物,铜专用缓蚀剂的水性清洗剂
机译: 包含铜特定腐蚀抑制剂的水性清洁组合物,用于清洁半导体衬底上的无机残留物
机译: 包含铜特定腐蚀抑制剂的水性清洁组合物,用于清洁半导体衬底上的无机残留物