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公开/公告号CN1893540B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-04-06
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200610103088.5
发明设计人 李锡河;李德炯;李康福;
申请日2006-07-10
分类号H04N5/335(20110101);H01L27/146(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波;侯宇
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:06:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-04-06
授权
2008-09-03
实质审查的生效
2007-01-10
公开
机译: 背照式有源像素传感器阵列和包括背照式有源像素传感器阵列的背照式图像传感器
机译: 背面发光有源像素传感器阵列,制造相同像素的方法以及包括相同像素的背面发光图像传感器
机译:有源像素传感器阵列中重离子诱导的单事件效应
机译:用于同步加速器光源的有源边缘像素传感器阵列的X射线计量
机译:有源像素传感器阵列,用于从单细胞到大规模神经网络的高时空分辨率电生理记录
机译:3D异类传感器声学/地震/有源像素/ IR成像传感器阵列中的缺陷避免
机译:使用CMOS有源像素传感器的片上空间图像处理。
机译:采用四阱技术的单片有源像素传感器(MAPS)可实现接近100%的填充因子和完整的CMOS像素
机译:由大区域双层MOS2晶体管电路驱动的高度敏感的有源像素图像传感器阵列
机译:使用外延硅敏感区域的集成X射线和带电粒子有源像素CmOs传感器阵列