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磁记录介质以及使用该磁记录介质的磁记录和再现装置

摘要

一种垂直磁记录介质A被设置在非磁性基底1上,至少具有软底层a、底膜5、中间膜6和垂直磁记录膜7。软磁底层a是具有非晶结构的软磁性膜。底膜5由Ni-W合金形成。中间膜6由Ru合金形成。在Ni-W合金中,Ni含量为80原子%或更大,而W含量为20原子%或更小,并且优选在1原子%至12原子%的范围内。装备有该磁记录介质A的磁记录和再现装置12的生产率优良,且能够记录和再现高密度信息。

著录项

  • 公开/公告号CN101351842B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昭和电工株式会社;

    申请/专利号CN200680049808.2

  • 发明设计人 清水谦治;

    申请日2006-11-02

  • 分类号G11B5/667(20060101);G11B5/738(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人杨晓光;李峥

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-02-02

    授权

    授权

  • 2009-03-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-01-21

    公开

    公开

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