具有高崩溃电压与高电阻值的半导体结构及其制造方法

摘要

一种具有高崩溃电压与高电阻值的半导体结构及其制造方法，其半导体结构至少包括：一基板，为一第一传导类型；一深阱，为一第二传导类型，是形成于基板内并由基板的表面向下扩展；一对第一阱，为第一传导类型，是形成于基板内并由基板的表面向下扩展，且形成在深阱之内；一第二阱，为第二传导类型，是形成于基板的深阱内并由基板表面向下扩展，且第二阱形成在第一阱之间，第二阱的注入量是低于第一阱的注入量；一对第一掺杂区，为第一传导类型，是分别形成在第一阱之内由基板表面向下扩展。