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曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序

摘要

一种曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序,在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜,分别改变曝光量和聚焦值,以预定的测试图形对抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影,在上述多个部位形成抗蚀剂图形。然后,对被刻蚀膜进行刻蚀,剥离抗蚀剂图形,通过散射测量技术测定上述多个部位的被刻蚀膜的图形的形状,根据逐次曝光的曝光量以及聚焦值、抗蚀剂图形的线宽和刻蚀图形的线宽,决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围。

著录项

  • 公开/公告号CN101493656B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;

    申请/专利号CN200910008166.7

  • 发明设计人 泽井和夫;园田明弘;

    申请日2005-11-08

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人刘宗杰

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/20 授权公告日:20101208 终止日期:20151108 申请日:20051108

    专利权的终止

  • 2010-12-08

    授权

    授权

  • 2009-09-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-07-29

    公开

    公开

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