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高度稳定的钼基混合导体致密透氧膜材料及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及一种高度稳定的钼基混合导体致密透氧膜材料及其制备方法和应用,该材料是通式为C

著录项

  • 公开/公告号CN101274224B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京工业大学;

    申请/专利号CN200810024886.8

  • 发明设计人 金万勤;董学良;徐南平;

    申请日2008-05-12

  • 分类号

  • 代理机构南京天华专利代理有限责任公司;

  • 代理人徐冬涛

  • 地址 210009 江苏省南京市中山北路200号

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-12-01

    授权

    授权

  • 2008-11-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-01

    公开

    公开

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