高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法

摘要

本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED的制造方法，包括一下步骤：步骤1、在MOCVD反应室中加热蓝宝石衬底，然后降温生长GaN成核层，接着在高温下生长GaN缓冲层；步骤2、降低温度，在所述缓冲层上生长1至6个In_xGa_1-xN/GaN量子阱，接着生长1至6个In_yGa_1-yN/GaN量子阱，再生长4至15个In_zGa_1-zN/GaN量子阱；步骤3、在高温下，再顺次生长p型AlGaN层和p型GaN层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。