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使用硅阵列孔装配微丝电极阵列的方法

摘要

本发明涉及微丝电极阵列的装配技术,特别涉及一种使用硅阵列孔装配微丝电极的技术。采用普通光刻和化学各向异性腐蚀的方法,能够制作具有高精度、低成本、孔径和排布方式可控的硅阵列孔,通过环氧树脂的固定来完成微丝电极的二维或三维装配。本方法适合小尺寸微丝电极阵列的组装及器件封装,阵列孔可以方便的根据微丝的半径、间距、排布方式等进行用户定制。

著录项

  • 公开/公告号CN101543406B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200810102800.9

  • 发明设计人 陈弘达;朱琳;裴为华;张旭;

    申请日2008-03-26

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-05-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):A61B 5/0478 授权公告日:20100915 终止日期:20120326 申请日:20080326

    专利权的终止

  • 2010-09-15

    授权

    授权

  • 2009-11-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-09-30

    公开

    公开

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