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一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法

摘要

本发明属于微电子器件和功能薄膜技术领域,具体涉及一种一次写入多次读取的电存储器件及其制备方法。器件结构为:铜-配位聚合物介质层-铝(Cu-Coordinationpolymer-Al)结构,二端的金属层做电极。其中的配位聚合物介质层为由特定结构的有机配体分子N2S3与铜底电极表面反应,原位形成的配位聚合物薄膜。本发明制备的薄膜器件具有极高的可靠性和成品率,二种状态的阻值比为10

著录项

  • 公开/公告号CN101290971B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN200810038578.0

  • 发明设计人 徐伟;董元伟;

    申请日2008-06-05

  • 分类号

  • 代理机构上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陆飞

  • 地址 200433 上海市邯郸路220号

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-06

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 51/05 授权公告日:20100825 终止日期:20130605 申请日:20080605

    专利权的终止

  • 2010-08-25

    授权

    授权

  • 2010-01-13

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-22

    公开

    公开

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