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防静电陶瓷墙地砖及其制备方法

摘要

本发明涉及一种防静电的陶瓷墙地砖及其制备方法。所述墙地砖是在陶瓷坯体(1)表面依次涂覆坯釉过渡层(2)、防静电釉层(3),周边涂覆有防静电釉层(4)。其制备方法包括:半导体氧化物与釉料按20-40∶80-60重量比例混合,球磨后过筛除铁,制备成釉浆;所述半导体氧化物包括SnO2、TiO2、ZnO中的一种或多种混合物;在陶瓷坯体表面施坯釉过渡层,然后干燥;将制备的釉浆施在坯釉过渡层表面形成防静电釉层,干燥;周边涂覆制备的釉浆,烧成。本发明的防静电陶瓷墙地砖可用于防静电场所的墙面及地面的铺贴,具有优良、耐久的防静电功能,并兼有陶瓷墙地砖的美观、防火、不起尘、耐腐蚀等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN1693294B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200410077668.2

  • 申请日2004-12-28

  • 分类号C04B41/86(20060101);C04B33/13(20060101);C04B33/34(20060101);C03C8/22(20060101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人何淑珍

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-02-24

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 41/86 授权公告日:20100714 终止日期:20141228 申请日:20041228

    专利权的终止

  • 2010-07-14

    授权

    授权

  • 2008-05-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-11-09

    公开

    公开

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