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恢复光刻工艺中横磁波对比度的方法和系统

摘要

一种在使用高数值孔径成像工具的光刻工艺中将具有感光区域的抗蚀剂层曝光到图像的方法和系统。其中利用了基板,其具有反射成像工具的射线的层,以及在反射层上具有感光区域的抗蚀剂层,其具有厚度。成像工具适于将包含虚像的射线投射到抗蚀剂层上,包含虚像的射线的一部分穿过抗蚀剂层,并反射回抗蚀剂层。反射的射线穿过抗蚀剂层的厚度在抗蚀剂层中形成投射的虚像的干涉图案。选择抗蚀剂层的感光区域相对于反射层的厚度和位置,以在干涉图案中在抗蚀剂厚度方向上包括干涉图案的较高对比度部分,并从抗蚀剂层的感光区域中在抗蚀剂厚度方向上排除干涉图案的较低对比度部分,以提高抗蚀剂层的感光区域中虚像的对比度。

著录项

  • 公开/公告号CN1975583B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN200610171821.7

  • 申请日2006-11-02

  • 分类号

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人于静

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-15

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/20 授权公告日:20100623 终止日期:20161102 申请日:20061102

    专利权的终止

  • 2010-06-23

    授权

    授权

  • 2010-06-23

    授权

    授权

  • 2007-08-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-08-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-06-06

    公开

    公开

  • 2007-06-06

    公开

    公开

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