首页> 中国专利> 一种掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法

一种掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法

摘要

本发明公开了一种获得大尺寸高质量掺钕钨酸钇钾激光晶体的生长方法。该方法通过复合助熔剂的配比变化,结合化学式进行化学组分的配比,通过调节提拉速率、旋转速率和等径生长过程,获得所需要的大尺寸高光学质量单晶体。本发明还公开了上述激光晶体的生长装置。本发明通过改善复合助熔剂的特性、改进生长工艺、结合现有熔盐法与提拉法设备的各自优势,生长出了高质量的激光晶体。本发明结合了助熔剂法和提拉法生长晶体的各自优点,避免了非一致熔融材料生长周期过长、生长方法单一的缺点。

著录项

  • 公开/公告号CN1995492B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-06-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 暨南大学;

    申请/专利号CN200610123988.6

  • 发明设计人 陈振强;王如刚;林浪;胡国勇;

    申请日2006-12-01

  • 分类号C30B29/32(20060101);C30B15/00(20060101);H01S3/16(20060101);

  • 代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;

  • 代理人裘晖;陈燕娴

  • 地址 510632 广东省广州市天河区黄埔大道西601号

  • 入库时间 2022-08-23 09:04:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-01-29

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/32 授权公告日:20100602 终止日期:20121201 申请日:20061201

    专利权的终止

  • 2010-06-02

    授权

    授权

  • 2007-09-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-07-11

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号