电化学器件及在电化学器件的TiO₂层表面生成0H自由基的方法

摘要

电化学器件，其包括：(a)半导体层，其中该半导体是硅或碳化硅，且其中该层具有1至1000微米的厚度；(b)在所述半导体层上的TiO₂层，其中该层可以包括碱土金属氧化物MO，其最多可达使得该层是MTiO₃的量，且其中该层具有5纳米至1微米的厚度；(c)在TiO₂层上的惰性金属栅，该栅排列为能够施加跨越TiO₂层的电场；和(d)在所述半导体层上的欧姆接触。